全国性首条！昕原半导体28/22nm ReRAM 12寸存储芯片产线完成试生产

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据苏州日报谣言，葛兰原集成电路相互竞争新建的欧美首条28/22nm ReRAM（阻变存储设备）12寸中试装配已完成完成了全方位研发电子设备的装机验收临时工，借助于了中试线工艺流程的通线，并成功流片（试生产）。

存储芯片中除了NANDSSD及DRAM内存之外，还有多种新科技选择，ReRAM(非易失性阻变式存储设备)就是其中一种，其写入寿命可达100万次，此前主要是生产难度大，现在苏州葛兰原集成电路相互竞争新建了欧美首条28/22nm ReRAM 12寸中试装配。

传统CMOS富士康或因总括教育资源考虑到，乘积更快极快，从而影响工艺进度，而欧美各大高等院校虽可在实验室阶段加快乘积更快，但没有常规的12寸试作产线，实验成果多半很难南北试作。

葛兰原再行木料的28/22nm ReRAM（阻变存储设备）12寸中试装配就解决了上述问题。带进了富士康和实验室的长处，乘积更快快， 产线灵活，拥有全方位可控的知识产权，使得ReRAM关的产品线的快速借助于变成了不太可能。

“作为境外首条28/22nm ReRAM12寸中试装配，我们产线的已完成导通并完成产品线的验证和借助于试作，将极大带动我国新型存储行业发展。”

葛兰原集成电路关的局长坚称，“而在这一行业，目前欧美外差异性较小，前沿尚无形成，为我国存储设备零售业借助于‘下坡超车’提供了不太可能。”

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